ISSCC 2026Session 14Other45nm CMOS SOI
本文提出了一种基于微环谐振器的超节能8通道光波分复用（WDM）非归零（NRZ）发射器，采用可扩展驱动拓扑和单片电子-光子集成，实现了0.018mm²每通道的紧凑设计。该芯片集成了自主并发波长锁定机制，具有近零静态功耗，总数据率达到304Gb/s，能效为106fJ/b，适用于高性能计算和数据中心。
▸提出可扩展的驱动拓扑与单片电子-光子集成方案，显著降低封装寄生效应，实现紧凑设计。
▸集成自主并发波长锁定机制，几乎无静态功耗，提高了系统的能效和稳定性。
ISSCC 2024Session 12RF & Wireless45nm CMOS
该论文提出了一种单片集成的8通道256Gb/s光发射机，采用45nm CMOS工艺，实现了低于63 fJ/b的能效。通过自主波长锁定技术解决了多通道波长稳定性问题，适用于数据中心和AI系统的高带宽低功耗互连。
▸首次在45nm CMOS平台上实现单片集成的8通道光发射机，无需外部光源或混合集成，降低了封装寄生效应。
▸提出自主波长锁定机制，无需外部校准即可稳定多通道激光波长，提升系统可靠性。