← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第1期Memory0.25μm BiCMOS
Introduction to the Special Issue on the 2005 IEEE International Solid-State Cir
2005年IEEE国际固态电路会议精选论文，涵盖技术方向、信号处理、存储器和数字电路等领域的前沿研究。
插入损耗3dB，带外抑制优于50dB
BAW滤波器CMOS接收器无线互连电力传输模拟计算机
▸创新点1：双晶格BAW滤波器集成技术（方法创新） - 通过后处理工艺将双晶格BAW滤波器集成在0.25μm BiCMOS晶圆上方，实现3dB插入损耗和50dB带外抑制，为WCDMA射频前端提供高集成度解决方案。
▸创新点2：60GHz CMOS直接转换接收器（电路创新） - 采用0.13μm CMOS工艺设计，利用折叠微带线实现无源谐振器，在1.2V电源下实现28dB增益和12.5dB噪声系数，突破毫米波接收机低功耗设计瓶颈。
▸创新点3：高速3D无线互连方案（系统创新） - 基于电感耦合的3D堆叠无线接口技术，实现芯片间高速数据传输，为多芯片集成提供免布线互连新范式。
▸创新点4：无线电力传输IC（系统创新） - 开发专用集成电路实现高效无线能量传输，推动无电池设备供电技术发展。
▸创新点5：模拟计算机数学协处理器（架构创新） - 采用模拟计算架构设计专用协处理器，针对特定数学运算提供超低功耗硬件加速方案。
Abstract
ue of the IEEE J OURNAL OF SOLID-STATE
CIRCUITS contains a selection of papers that were pre-
sented at the 2005 IEEE International Solid-State Circuits con-
ference in February 2005. The papers were chosen from the
Technology Directions, Signal Processing, Memory, and Digital
sessions. The Guest Editors have carefully selected the leading-
edge papers in each of these four areas. The papers contain
a substantial amount of new information beyond the ISSCC
presentation.
II. T
ECHNOLOGY DIRECTIONS