← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第2期Other
Low-Power InP-HEMT Switch ICs Integrating Miniaturized 2 2 Switches for 10-Gbs S
本文提出了一种零功耗的宽频冷FET开关，采用InP HEMT技术实现DC至10GHz以上的SPDT开关。
插入损耗小于1.16 dB，隔离度大于21.2 dB（低于10 GHz）
InP HEMTSPDT开关宽频零功耗高速开关
▸创新点1：零功耗设计（电路创新）。通过冷FET开关技术实现宽频带操作，无需外部电源，显著降低功耗，适用于低功耗应用场景。
▸创新点2：使用InP HEMT技术（器件创新）。采用低Rds(on)的InP HEMT器件，实现DC至10 GHz以上的单刀双掷（SPDT）开关，无需使用并联FET，简化电路结构。
▸创新点3：逻辑电平独立接口（系统创新）。通过串联FET配置，支持正控制电压操作，兼容正负逻辑电平输入，增强系统灵活性。
▸创新点4：高速开关性能（性能创新）。实现140 ps的极快开关速度，支持高达12.5 Gb/s的无误码操作，满足高速通信需求。
Abstract
This paper presents a wideband cold-FET switch with
virtually zero power dissipation. The use of InP HEMTs with a low
/82/111/110
/67/111/11product enables us to configure a DC-to-over-10-GHz
single-pole double-throw (SPDT) switch without using a shunt
FET. The series-FET configuration offers a logic-level-inde-
pendent interface and makes possible positive control voltage
operation in spite of using depletion-mode FETs. A miniaturized
2
2 switch using two SPDT switches yields an insertion loss of