← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第3期Memory180nmEmerging Memory
Noise-Shaping Sense Amplifier for MRAM Cross-Point Arrays
提出一种用于MRAM交叉点阵列的噪声整形读出放大器技术，无需精密元件和校准，降低电源噪声影响。
180nm CMOS, 20μV RMS噪声, 5μs读出时间, 10μA电流@100MHz
MRAM交叉点阵列噪声整形磁隧道结数字滤波器
▸创新点1：电压模式架构的创新设计，通过采用电压模式而非传统电流模式，显著降低了功耗并提高了对电源噪声的抗干扰能力，实测功耗仅为10μA/MHz。
▸创新点2：噪声整形调制器的应用，通过将量化噪声推向高频段并结合数字滤波器（计数器），实现了20μV RMS的超低传感噪声，且传感时间可调以进一步提升信噪比。
▸创新点3：数字自参考方案的突破性设计，利用计数器实现动态校准，有效消除了MRAM交叉阵列中单元间变异的影响，无需外部精密元件或复杂校准流程。
▸创新点4：系统级能效优化，通过并行处理1000个传感放大器与位线，在100MHz工作时仅消耗10mA总电流，为高密度存储阵列提供了可扩展的低功耗解决方案。
Abstract
A sensing technique using a voltage-mode architec-
ture, noise-shaping modulator, and digital filter (a counter) is
presented for use with cross-point MRAM arrays and magnetic
tunnel junction memory cells. The presented technique eliminates
the need for precision components, the use of calibrations, and
reduces the effects of power supply noise. To obviate the effects of
cell-to-cell variations in the array, a digital self-referencing scheme
using the counter is presented. Measured experimental r