JSSC 2006第4期RF & Wireless0.13μm

A 013 22m CMOS Front-End for DCS1800UMTS 80211b-g With Multiband Positive Feedba

本文提出了一种用于DCS1800/UMTS/802.11b-g的多频段CMOS前端，采用直接转换和低中频架构。

0.13μm CMOS, 1.2V, 20mA

CMOS前端多频段正反馈低噪声放大器线性混频器

▸创新点1：多频段低噪声放大器（LNA）采用正反馈技术提升增益（电路创新）。通过引入可控正反馈环路，在保持噪声系数（5.2 dB）的同时实现增益可编程（13.5-28.5 dB），解决了多标准接收机中增益与噪声的权衡问题。

▸创新点2：高度线性混频器设计（电路创新）。采用改进的跨导线性化技术，实现IIP3 > -7.5 dBm和IIP2 > 50 dBm，显著提升高频信号处理中的抗干扰能力，适用于密集频谱环境。

▸创新点3：双架构集成方案（系统创新）。在单芯片中融合直接转换（UMTS/802.11b-g）和100kHz低中频（DCS1800）两种架构，通过模式切换实现多标准兼容，降低系统复杂度。

▸创新点4：0.13μm CMOS工艺下的低功耗设计（工艺创新）。在1.2V供电下仅消耗20mA电流，通过优化偏置电路和动态偏置技术，实现高性能与低功耗的协同设计。

Abstract

This paper presents a fully integrated CMOS receiver front-end based on a direct conversion architecture for UMTS/802. 11b-g and a low-IF architecture at 100 kHz for DCS1800. The two key building blocks are a multiband low-noise ampliﬁer (LNA) that uses positive feedback to improve its gain and a highly linear mixer. The front-end, integrated in a 0.13 m CMOS process, exhibits a minimum noise ﬁgure of 5.2 dB, a programmable gain that can be varied from 13.5 to 28.5 dB, an IIP3 of more than 7.5 d