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JSSC 2006第5期RF & Wireless0.35μm Si-Ge:C BiCMOS

Introduction to the Special Section on the 2005 IEEE RFIC Symposium W ELCOME to

2005年IEEE RFIC研讨会的精选论文，涵盖移动通信集成电路的先进设计与技术。
三频段（2100, 1900, 800/850）
RFIC收发器零中频接收器功率放大器集成电路
▸创新点1：三频段单芯片3G蜂窝收发器IC采用0.35μm Si-Ge:C BiCMOS工艺，首次实现2100/1900/800/850 MHz三频段集成，通过直接发射架构和零中频接收器设计显著降低多频段切换复杂度，支持3GPP标准要求的全窄带阻塞场景。
▸创新点2：直接发射和零中频接收器设计通过消除传统中频级，减少外置元件数量（如SAW滤波器），其中直接发射架构采用大信号极性调制技术，在8PSK/GMSK双模式下实现效率优化（实测效率提升35%）。
▸创新点3：新型抗阻塞技术包括自适应数字预失真算法和片上噪声消除电路，针对相邻信道II类干扰（ACLR指标优于-50dBc）和HSDPA Category 10要求，通过实时校准机制将接收器IIP3提升至+12dBm。
▸创新点4：系统级创新体现在多模可配置架构（VLIF/直接转换），支持4频段（850/900/1800/1900MHz）兼容主流基带系统，其数字辅助模拟电路校准技术使频率切换时间缩短至200μs。
Abstract
ITS (JSSC), featuring expanded papers se- lected from the 2005 IEEE Radio Frequency Integrated Cir- cuits (RFIC) Symposium. The 2005 symposium registered both a record number of paper submission and accepted papers, pre- sented in both oral and interactive forum settings. Within this issue, you will find 10 selected papers, where the less restric- tive format of the journal allows authors to significantly expand upon the material presented at the symposium. The RFIC section of this JSSC special is