← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第7期RF & Wireless0.25微米LNA
A Cellular-Band CDMA 025- 22m CMOS LNA Linearized Using Active Post-Distortion
该论文提出了一种使用主动后失真（APD）技术的蜂窝频段CDMA低噪声放大器（LNA），在0.25微米CMOS工艺中实现，显著提高了线性度和噪声性能。
1.2 dB NF, 16.2 dB功率增益, -38 dBm IIP3, 12 mA电流消耗, 2.6 V电源电压
低噪声放大器CDMACMOS主动后失真线性化
▸创新点1：主动后失真（APD）技术的应用（方法创新）。该论文首次将APD技术应用于CMOS LNA设计中，通过主动生成与非线性失真相反的信号来抵消IM3产物，实现了13.5 dB的IM3抑制，同时仅增加0.15 dB的噪声系数。
▸创新点2：低频和高频线性化方法的理论分析（理论创新）。论文创新性地采用幂级数分析低频段线性化，而高频段采用Volterra级数建模，为宽带线性化提供了完整的理论框架。
▸创新点3：高性能CMOS LNA实现（电路创新）。在0.25μm CMOS工艺下实现了1.2dB NF、16.2dB增益和-38dBm IIP3的优异性能，12mA的电流消耗表明其高效率特性。
▸创新点4：系统级线性化方案（系统创新）。通过APD技术与其他线性化技术的协同优化，在保持低噪声性能的同时显著提升了系统线性度，为CDMA接收机前端提供了创新解决方案。
Abstract
The theory of a linearization method using active
post-distortion (APD) is explained for low-frequency and high-fre-
quency applications. The low-frequency cancellation is explained
in power series format and the high-frequency cancellation is
explained in Volterra series format. The method is utilized for a
cellular band (869–894 MHz) CDMA low-noise amplifier (LNA),
which is implemented in 0.25-
m CMOS process. The LNA
achieves 1.2 dB NF, 16.2 dB power gain, and /438 dBm IIP3 while
consuming 12