← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第8期Other0.18-μm BiCMOS
Synthesized Compact Models and Experimental Verifications for Substrate Noise Cou
提出了一种用于衬底噪声耦合分析的合成紧凑模型方法，验证了模型准确性。
模型准确性在15%以内
衬底噪声耦合合成紧凑模型可扩展矩阵节点集总电阻几何平均距离
▸创新点1：合成紧凑模型（SCM）方法，提出了一种基于几何参数和工艺依赖性拟合系数的紧凑建模方法，显著提高了衬底噪声耦合分析的效率和准确性。
▸创新点2：可扩展矩阵方法用于重掺杂衬底，通过引入可扩展矩阵技术，有效处理了重掺杂衬底的复杂耦合效应，提升了模型的适用性和计算效率。
▸创新点3：节点集总电阻方法用于轻掺杂衬底，采用节点集总电阻技术，简化了轻掺杂衬底的建模过程，确保了模型在低复杂度下的高精度。
▸创新点4：全芯片衬底噪声分布分析，展示了SCM方法在复杂芯片中的应用，成功分析了2 mm x 2 mm芯片的319个衬底接触点的噪声分布，验证了模型的实际应用价值。
Abstract
A synthesized compact modeling (SCM) approach for
substrate coupling analysis is presented. The SCM is formulated
using a scalable
matrix approach for heavily doped substrates
with a lightly doped epitaxial layer and using a nodal lumped resis-
tance approach for lightly doped substrates. The SCM models re-
quire a set of process-dependent fitting coefficients and incorporate
geometrical parameters of the substrate ports in a compact form
that includes size, perimeter, and separation defined using