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JSSC 2006第9期RF & Wireless0.18μm

Modeling of Substrate Noise Generation Isolation and Impact for an LC-VCO and a

提出了一种用于估计和理解数字调制解调器产生的衬底噪声及其对LC-VCO性能影响的物理模型。
0.18μm 3.5 GHz CMOS LC-VCO
衬底噪声LC-VCO数字调制解调器保护环噪声耦合
创新点1:提出了一种线性化物理模型,用于快速估计和评估数字调制解调器产生的衬底噪声及其对LC-VCO性能的影响,模型推导和评估速度显著提升,同时保持高精度(误差小于3 dB)。
创新点2:通过两种测试结构(参考设计和带p+/n-well保护环设计)验证模型有效性,展示了模型在实际混合信号IC中的适用性,为衬底噪声隔离提供了实验依据。
创新点3:模型支持系统级衬底噪声耦合分析,提供了对噪声传播机制的高层次抽象理解,弥补了传统电路级仿真在大规模SoC中分析的不足。
创新点4:利用模型实现了系统化且可控的隔离策略,例如通过模型优化保护环尺寸,为混合信号IC设计提供了实用的噪声抑制方法。
Abstract
Substrate noise generated by the digital circuits on a mixed-signal IC can severely disturb the analog and RF circuits sharing the same substrate. Simulations at the circuit level of the substrate noise coupling in large systems-on-chip (SoCs) do not provide the necessary understanding in the problem. Analysis at a higher level of abstraction gives much more insight in the coupling mechanisms. This paper presents a physical model to estimate and understand the substrate noise generation by a dig