JSSC 2006第10期Memory深亚微米SRAM

Weak Cell Detection in Deep-Submicron SRAMs A Programmable Detection Technique

提出一种数字可编程检测技术，用于检测深亚微米SRAM中的弱单元。

无

SRAM弱单元检测数字可编程比特线电压测试良率

▸创新点1：数字可编程检测技术（方法创新） - 提出了一种基于数字控制的可编程检测方法，通过动态调整检测阈值，有效识别SRAM中的弱单元，解决了传统固定阈值检测在深亚微米工艺下适应性差的问题。

▸创新点2：可调比特线电压（电路创新） - 设计了灵活的比特线电压调节电路，支持宽范围电压编程（具体范围可参考论文数据），通过改变比特线电压模拟实际工作条件，显著提高了DRF（数据保留故障）的检测覆盖率。

▸创新点3：测试质量与良率优化（系统创新） - 通过算法动态平衡测试严格度与良率损失，在测试芯片中实现缺陷检测率提升X%（需补充具体数据）的同时，将误判率降低至Y%（需补充数据），适用于大规模SoC生产测试。

▸创新点4：工艺变异跟踪（方法创新） - 利用可编程阈值特性实时适配工艺波动，无需重新设计测试方案即可适应不同晶圆或批次的工艺偏差，降低了测试维护成本。

Abstract

Embedded SRAM bit count is constantly growing limiting yield in systems-on-chip (SoCs). As technology scales into deep sub-100-nm feature sizes, the increased defect density and process spreads make stability of embedded SRAMs a major concern. This paper introduces a digitally programmable de- tection technique, which enables detection of SRAM cells with compromised stability [with data retention faults (DRFs) being a subset]. The technique utilizes a set of cells to modify the bitline voltage,