← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2006第11期RF & Wireless0.18μm
Bandwidth Extension Techniques for CMOS Amplifiers
介绍基于电感峰化的CMOS放大器带宽扩展技术，通过电容分裂和磁耦合实现高带宽扩展比。
0.18μm CMOS, 带宽扩展比高达4.9, 单级增益12 dB
CMOS放大器带宽扩展电感峰化电容分裂磁耦合
▸创新点1：基于电感峰化的带宽扩展技术，通过优化电感参数和布局，显著提升CMOS放大器的带宽扩展比，实验结果显示最高可达4.1倍，同时保持12 dB的高增益。
▸创新点2：电容分裂和磁耦合的创新应用，通过分割负载电容和引入磁耦合效应，有效克服传统带宽扩展技术的限制，进一步提升了带宽扩展比至4.9倍。
▸创新点3：优化的带宽扩展比设计约束，提出并验证了驱动晶体管漏极电容与负载电容比的关键作用，为不同电容比场景下的技术选择提供了理论依据。
▸创新点4：改进的串联峰化技术与交错技术的结合，通过电路拓扑创新，实现了超宽带低噪声放大器的性能突破，为无线和有线应用提供了新的解决方案。
Abstract
Inductive-peaking-based bandwidth extension tech-
niques for CMOS amplifiers in wireless and wireline applications
are presented. To overcome the conventional limits on bandwidth
extension ratios, these techniques augment inductive peaking
using capacitive splitting and magnetic coupling. It is shown that
a critical design constraint for optimum bandwidth extension is
the ratio of the drain capacitance of the driver transistor to the
load capacitance. This, in turn, recommends the use of differen