JSSC 2007第1期Power ManagementCharge Pump

A 0.1-/22m 1.8-V 256-Mb Phase-Change Random Access Memory (PRAM) With 66-MHz Synchronous Burst-Read Operation Sangbeom Kang, Woo Yeong Cho, Beak-Hyung Cho, Kwang-Jin Lee, Chang-Soo Lee, Hyung-Rok Oh, Byung-Gil Choi, Qi Wang, Hye-Jin Kim, Mu-Hui Park, Yu Hwan Ro, Suyeon Kim, Choong-Duk Ha, Ki-Sung Kim, Young-Ran Kim, Du-Eung Kim, Choong-Keun Kwak, Hyun-Geun Byun, Gitae Jeong

开发了一款256Mb相变随机存取存储器，支持66MHz同步突发读取操作，并在1.8V低电压下实现写入性能优化。

62ns初始读取时间，10ns突发读取时间，0.5MB/s写入吞吐量

相变随机存取存储器同步突发读取低电压写入高耐久性保持特性

▸创新点1：66-MHz同步突发读取操作（方法创新） - 该论文实现了66-MHz的高频率同步突发读取操作，显著提升了内存的读取速度，突发读取时间仅为10 ns，适用于高速数据处理应用。

▸创新点2：1.8V低电压写入性能优化（电路创新） - 通过采用电荷泵系统，论文在1.8V的低电压下实现了优化的写入性能，写入吞吐量达到0.5 MB/s，并可进一步提升至50/55 MB/s，降低了功耗。

▸创新点3：高耐久性和保持特性（系统创新） - 该存储器展示了优异的耐久性（10^9次写入循环）和保持特性（在99°C下可保持数据十年），适用于长期稳定的存储应用。

▸创新点4：高性能与低功耗的平衡（系统创新） - 论文通过结合高频率读取和低电压写入，实现了高性能与低功耗的平衡，为移动设备和嵌入式系统提供了理想的存储解决方案。

Abstract

A 256-Mb phase-change random access memory has been developed, featuring 66-MHz synchronous burst-read oper- ation. Using a charge pump system, write performance was char- acterized at a low supply voltage of 1.8 V. Measured initial read access time and burst-read access time are 62 and 10 ns, respec- tively. The write throughput was 0.5 MB/s with internal 2 write and can be increased to /50 /54/55MB/s with 16 write. Endurance and retention characteristics are measured to be /49/48/55cycles and ten years at 99 C.