JSSC 2007第2期Data Converters['0.25μm', '90nm']

FEBRUARY 2007 VOLUME 42 NUMBER 2 IJSCBC ISSN 0018-9200 REGULAR PAPERS Dual Time-

该期刊包含多篇关于高性能模拟电路设计的论文，涵盖ADC、放大器、RF前端等主题。

['6-bit 800MS/s', '63dB SNR 950MHz', '0.25μm SiGe BiCMOS', '90nm CMOS']

ADC放大器RF前端噪声消除SiGe BiCMOS

▸创新点1：6-bit 800-MS/s流水线ADC采用开环放大器设计，显著提升转换速率至800MS/s，同时保持6位分辨率，适用于高速信号处理场景。

▸创新点2：63 dB SNR RF ADC在0.25μm SiGe BiCMOS工艺下实现950MHz工作频率，功耗仅75mW，通过优化时钟设计（3.8GHz）提升信噪比。

▸创新点3：浮动栅极晶体管用于精密CMOS放大器的偏移消除，通过动态调整阈值电压，显著降低输入失调电压，提升放大器精度。

▸创新点4：宽带噪声消除LNA（3.1–10.6GHz UWB接收器）采用噪声抵消技术，扩展带宽的同时抑制带内干扰，适用于超宽带通信系统。

▸创新点5：自适应多模RF前端电路通过可重构架构支持多频段操作，动态匹配不同通信标准（如蜂窝/Wi-Fi），降低系统复杂度与功耗。

Abstract

............................................................................. B. P . Ginsburg and A. P . Chandrakasan 247 A 6-bit 800-MS/s Pipelined A/D Converter With Open-Loop Ampliﬁers............. ............ D.-L. Shen and T.-C. Lee 258 A 63 dB SNR, 75-mW Bandpass RF ADC at 950 MHz Using 3.8-GHz Clock in 0.25- m SiGe BiCMOS Technology ....................................... ....................................... B. K. Thandri and J. Silva-Martinez 269 A Precision CMOS Ampliﬁer Using Flo