JSSC 2007第4期Power Management0.25μm BiCMOSPower Amplifier

A 0.5-V 1-Msps Track-and-Hold Circuit With 60-dB SNDR

提出一种0.5V电源电压下工作的1Msps采样保持电路，实现60dB SNDR。

0.5V, 1Msps, 60dB SNDR, 600μA

超低电压采样保持电路SNDRCMOSBiCMOS工艺

▸创新点1：方法创新 - 采用真正的低电压设计技术，实现了0.5V超低电源电压工作，突破了传统T/H电路对高电源电压的依赖，显著降低了功耗。

▸创新点2：电路创新 - 在标准0.6V器件的基础上，通过优化电路结构和参数，实现了无时钟/电压提升技术，简化了电路设计并提高了可靠性。

▸创新点3：系统创新 - 在0.25μm BiCMOS工艺的CMOS部分中实现了全差分T/H电路，展示了在低电压条件下仍能保持60dB SNDR的高性能，为低功耗高精度应用提供了新方案。

▸创新点4：性能创新 - 该T/H电路在1Msps采样率下仅消耗600μA电流，实现了高采样率与低功耗的良好平衡，适用于便携式和电池供电设备。

Abstract

We discuss a design technique that makes possible the operation of track-and-hold (T/H) circuits with very low supply voltages, down to 0.5 V. A 0.5-V 1-Msps T/H circuit with a 60-dB SNDR is presented. The fully differential circuit is fabricated in the CMOS part of a 0.25- m BiCMOS process, with standard 0.6-V devices, and uses true low-voltage design techniques with no clock boosting and no voltage boosting. The T/H circuit has a mea- sured current consumption of 600 A.