← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第5期RF & Wireless130-nm SiGe BiCMOS
A Low-Noise 40-GS/s Continuous-Time Bandpass /1/6ADC Centered at 2 GHz for Direct
本文介绍了一种用于无线基站的低噪声40-GS/s连续时间带通16ADC，中心频率为2 GHz。
55 dB SNDR, 61 dB SFDR, 1.6 W功耗
低噪声40-GS/s带通ADC无线基站SiGe BiCMOS
▸创新点1：第四阶环路设计 - 该论文采用了一种创新的第四阶环路结构，通过多反馈机制显著提高了系统的稳定性和噪声性能，实现了55 dB的SNDR和61 dB的SFDR，适用于高频宽带应用。
▸创新点2：MOS-HBT共源共栅跨导滤波器 - 设计了一种基于MOS-HBT共源共栅的跨导滤波器，其噪声系数（NF）低至2.29 dB，有效提升了系统的信噪比和线性度，适用于2 GHz中心频率的高频信号处理。
▸创新点3：中心频率可调 - 通过创新的电路设计，实现了中心频率在1.8 GHz至2 GHz范围内的可调性，增强了ADC的灵活性和适用性，满足不同无线基站应用的需求。
▸创新点4：130-nm SiGe BiCMOS技术实现 - 采用先进的130-nm SiGe BiCMOS工艺，结合150-GHz SiGe HBT技术，实现了高性能的模拟数字转换器，功耗仅为1.6 W，展现了高效的电源管理能力。
Abstract
This paper presents a 40-GS/s continuous-time band- pass /1/6analog-to-digital converter centered at 2 GHz for wireless base station applications. The ADC consists of a fourth-order loop with multiple feedback and is designed entirely in the -domain. The circuit achieves an SNDR of 55 dB and 52 dB over bandwidths of 60 MHz and 120 MHz, respectively, and an SFDR of 61 dB with a single-ended IIP3 of /434 dBm. The center frequency is tunable from 1.8 to 2 GHz. It employs a – /86/65 /82filter based on a MOS-HBT cascode transconductor with an NF /77/73/78of 2.29 dB. The entire circuit is implemented in a 130-nm SiGe BiCMOS tech- nology with 150-GHz SiGe HBT and dissipates 1.6 W from a 2.5-V supply.