← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第10期Other
An 84 GHz Bandwidth and 20 dB Gain Broadband Amplifier in SiGe
本文报道了一种基于SiGe双极技术的宽带放大器，具有84 GHz带宽和20 dB增益。
84 GHz带宽, 20 dB增益, 990 mW功耗, 5.5 V供电
SiGe双极技术宽带放大器84 GHz带宽20 dB增益增益带宽积
▸创新点1：实现84 GHz的3-dB带宽，这是目前SiGe双极宽带放大器报道的最高带宽，突破了传统宽带放大器的频率限制，展示了在毫米波频段的卓越性能。
▸创新点2：在84 GHz带宽下仍能保持20 dB的高增益，通过创新的电路设计和优化，显著提升了增益与带宽的平衡，适用于高频通信和雷达系统。
▸创新点3：增益带宽积（GBW）超过840 GHz，这一指标在同类产品中处于领先地位，体现了电路设计的高效性和技术的先进性。
▸创新点4：采用SiGe双极技术，结合创新的集总宽带放大器设计，在5.5 V电源电压下功耗为990 mW，实现了高性能与低功耗的平衡。
Abstract
This paper reports on the design, fabrication, and
characterization of a lumped broadband amplifier in SiGe bipolar
technology. The measured differential gain is 20 dB with a 3-dB
bandwidth of more than 84 GHz, which is the highest bandwidth
reported so far for broadband SiGe bipolar amplifiers. The re-
sulting gain bandwidth product (GBW) is more than 840 GHz.
The amplifier consumes a power of 990 mW at a supply of
5.5 V.