← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第10期RF & Wireless
Introduction to the Special Issue on the Third IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
第三届IEEE化合物半导体集成电路研讨会聚焦微波和毫米波无线及宽带通信应用的高性能IC/器件技术。
高频/宽带操作, 高RF输出功率, 低噪声, 高线性度
化合物半导体微波毫米波GaAsSiGe
▸创新点1：高频/宽带操作 - 通过采用GaAs、InP和GaN材料的HEMT和HBT器件，实现了微波和毫米波频段的高频操作（如43 GHz锁存器和86 Gb/s选择器），显著提升了通信系统的带宽和传输速率。
▸创新点2：高RF输出功率 - 利用SiGe BiCMOS工艺技术，设计出高效能放大器，在保持低功耗的同时实现了高RF输出功率，适用于无线通信和雷达应用。
▸创新点3：低噪声和高线性度 - 通过优化电路设计和器件结构（如GaAs pHEMT与Bipolar器件的融合），显著降低了噪声系数并提高了线性度，适用于高灵敏度接收机和宽带通信系统。
▸创新点4：新兴器件技术 - 探索了基于碳纳米管、锑化铟和III-V MOSFETs的新型器件技术，为未来高频、低功耗集成电路提供了潜在解决方案。
Abstract
N
T
HE third IEEE Compound Semiconductor Integrated Cir-
cuit Symposium (formerly GaAs IC Symposium) was held
in San Antonio, TX, November 12–15, 2006. The symposium
program focused on high-performance ICs/device technologies
for microwave and millimeter-wave wireless and broadband
wired/optical telecommunication applications. Breakthrough
results in terms of high operating frequency/bandwidth, RF
output power, efficiency, low noise, and linearity were reported
for amplifiers implemented using a w