← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第11期Other130-nm
A 31.3-dBm Bulk CMOS T/R Switch Using Stacked Transistors With Sub-Design-Rule Channel Length in Floated p-Wells
展示了一种采用堆叠晶体管和亚设计规则通道长度的31.3dBm 900MHz CMOS T/R开关
31.3-dBm 900-MHz, 0.5/1.0 dB TX/RX插入损耗, 29 dB隔离
CMOS T/R开关堆叠晶体管亚设计规则浮动体技术前馈电容器
▸创新点1：浮动体技术（方法创新） - 通过浮动体技术有效抑制了体效应，降低了插入损耗（TX 0.5 dB，RX 1.0 dB），同时提升了开关的线性度和功率处理能力（31.3 dBm）。
▸创新点2：前馈电容器（电路创新） - 采用前馈电容器补偿了高频信号路径中的寄生电容，显著改善了隔离度（29 dB @900MHz）和带宽性能，适用于多频段应用（900MHz/2.4GHz）。
▸创新点3：3堆叠3.3V MOSFET（器件创新） - 使用亚设计规则（0.26μm SDR）的堆叠MOSFET结构，在130nm工艺下实现高压耐受（3.3V），同时优化了Ron·Coff乘积，兼顾低损耗与高功率容量。
▸创新点4：亚设计规则通道长度（工艺创新） - 突破设计规则限制的0.26μm沟道长度，在标准130nm工艺中实现更高集成度与性能折衷，为低成本Bulk CMOS的高频开关设计提供新思路。
Abstract
A 31.3-dBm 900-MHz bulk CMOS T/R switch with transmit (TX) and receive (RX) insertion losses of 0.5 and 1.0 dB and isolation of 29 dB is demonstrated. The switch utilizes a floating-body technique, feed-forward capacitors, and 3-stack 3.3-V MOSFETs with 0.26- m sub-design-rule (SDR) channel length. Using these, a 28-dBm 2.4-GHz T/R switch with TX and RX insertion losses of 0.8 and 1.2 dB, and isolation of 24 dB is also demonstrated. The power handling capability is limited by an abrupt output power drop before reaching the normal 1-dB compression point. The circuits are implemented in the UMC 130-nm mixed-mode triple-well CMOS process.