← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第12期RF & Wireless90nm
A 2.5 nJ/bit 0.65 V Pulsed UWB Receiver in 90 nm CMOS
90nm CMOS工艺下实现0.65V低功耗超宽带接收器，支持0-16.7 Mb/s数据传输。
90nm CMOS, 0.65V, 0-16.7 Mb/s, 2.5 nJ/bit, -99 dBm灵敏度
超宽带接收器低功耗CMOS脉冲位置调制能效
▸创新点1：非相干接收架构（系统创新） - 采用非相干接收技术避免了复杂的载波恢复电路，显著降低了功耗和复杂度，在0-16.7 Mb/s的数据速率范围内实现了2.5 nJ/bit的高能效，特别适合低功耗UWB应用。
▸创新点2：0.65V低电压工作（电路创新） - RF电路在0.65V超低电压下工作，通过优化的低电压电路设计技术，在保持接收灵敏度的同时大幅降低了动态功耗，实现了99 dBm的最佳灵敏度。
▸创新点3：可调带通滤波器（方法创新） - 采用可调谐带通滤波器结构，能够动态适应3-5 GHz的子带PPM信号，有效抑制带外干扰并提高信号质量，支持宽范围数据速率（100 kb/s至16.7 Mb/s）。
▸创新点4：相对比较基带处理（电路创新） - 创新的相对比较基带处理电路结合占空比控制技术，实现了三个数量级数据速率范围内的稳定能效（2.5 nJ/bit），在低于10 kb/s时通过泄漏功率主导机制进一步优化能效。
Abstract
A noncoherent 0–16.7 Mb/s ultra-wideband (UWB) receiver using 3–5 GHz subbanded pulse-position modulation (PPM) signaling is implemented in a 90 nm CMOS process. The RF and mixed-signal baseband circuits operate at 0.65 V and 0.5 V, respectively. Using duty-cycling, adjustable bandpass filters, and a relative-compare baseband, the receiver achieves 2.5 nJ/bit at 10 /51BER with 99 dBm best case sensitivity at 100 kb/s. The energy efficiency is maintained across three orders of magnitude in data rate. For data rates less than 10 kb/s, leakage power dominates energy/bit.