← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2007第12期mm-Wave90nm
Millimeter-Wave Devices and Circuit Blocks up to 104 GHz in 90 nm CMOS
提出毫米波器件和电路块的系统优化方法，实现高频低功耗设计
90nm CMOS, 104GHz, 10.5mW, 12.2dB增益
毫米波CMOS放大器振荡器低功耗
▸创新点1：毫米波器件布局优化方法（方法创新） - 提出了一种系统化的布局优化方法，通过定制90 nm CMOS器件的布局，显著提升了高频性能，实现了300 GHz的fT/fmax，为毫米波电路设计提供了关键技术支持。
▸创新点2：混合毫米波建模技术（方法创新） - 开发了一种混合建模技术，有效扩展了器件紧凑模型的适用范围至100 GHz，为高频电路仿真提供了更准确的模型基础。
▸创新点3：高频低功耗放大器设计（电路创新） - 设计了60 GHz低功耗放大器，仅消耗10.5 mW功率即实现12.2 dB增益和-4 dBm输出P1dB，展示了高频下的高效能表现。
▸创新点4：104 GHz高性能电路实现（系统创新） - 成功实现了104 GHz调谐放大器（9.3 dB增益）和Colpitts振荡器（-5 dBm输出功率，6.5 mW功耗），突破了CMOS工艺在毫米波频段的性能极限。
Abstract
A systematic methodology for layout optimization of
active devices for millimeter-wave (mm-wave) application is pro-
posed. A hybrid mm-wave modeling technique was developed to
extend the validity of the device compact models up to 100 GHz.
These methods resulted in the design of a customized 90 nm de-
vice layout which yields an extrapolated
/109/97/120of 300 GHz from
an intrinsic device
/61100 GHz. The device is incorporated
into a low-power 60 GHz amplifier consuming 10.5 mW, providing
12.2 d