JSSC 2008第1期Memory65nmSRAM

Implementation of the Cell Broadband Engine in 65 nm SOI Technology Featuring Du

65纳米SOI技术实现的多核Cell Broadband Engine™，采用双电源供电提升SRAM稳定性和性能。

65nm SOI, 双电源供电

Cell Broadband EngineSOI技术SRAM稳定性双电源供电65纳米工艺

▸双电源供电SRAM阵列：采用独立的双电源供电方案，针对SRAM阵列进行优化，通过提升电压显著改善了稳定性和性能。这一电路创新在65 nm SOI技术中实现，硬件测量验证了其在不同应用场景下的优势。

▸新型SRAM单元分析方法：提出了一种在应用条件下分析SRAM单元的新方法，用于优化单元的稳定性、写入能力和性能。这一方法创新通过实际测试数据支持，为SRAM设计提供了更精确的调优手段。

▸改进的写入方案：引入了一种改进的写入方案，扩大了SRAM阵列的功能窗口，并允许独立于周围逻辑电路设置阵列的功耗/性能点。这一系统创新提升了整体设计的灵活性和效率。

▸独立功耗/性能调优：通过双电源供电和改进的写入方案，实现了SRAM阵列的功耗和性能独立调优，这一系统级创新为多核SoC设计提供了更高的可配置性和适应性。

Abstract

The 65 nm Cell Broadband Engine™ (Cell BE) is a multi-core SoC, implemented in a high performance SOI technology featuring a separate dual power supply for SRAM arrays to improve stability and performance using an elevated voltage. A new method is shown to analyze the SRAM cell under application conditions which was used to tune the cell for stability, write-ability and performance. An improved write scheme is shown which widens the overall functional window and allows setting the power/performa