← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第2期Power Management63nmCharge PumpFlash Memory
High-V oltage Analog System for a Mobile NAND Flash Yong Hoon Kang Jin-Kook Kim
提出一种适用于移动设备NAND闪存的高电压模拟系统，重点优化低电压、低功耗和小面积设计。
63nm CMOS, 1.5V
高压模拟电路NAND闪存低功耗电荷泵电压调节
▸创新点1：新型高压调节方案（电路创新）。该方案通过优化振荡器、高压电荷泵和电压调节器电路，实现了在低电源电压下的高压生成，显著降低了功耗和面积开销，同时保持了高压输出驱动能力。
▸创新点2：优化的振荡器和电荷泵设计（电路创新）。采用新型电路技术，使振荡器和调节器电路能够在1.5V低电压下工作，同时通过优化设计减少了硅面积、噪声和功耗，提升了整体性能。
▸创新点3：纹波抑制电路（电路创新）。该电路设计简单且鲁棒，有效抑制了电压调节器中的纹波，提高了系统的稳定性和可靠性，适用于移动设备中的NAND Flash存储器。
▸创新点4：设计方法论（方法创新）。提出了一种高压电荷泵的设计方法论，通过系统化的设计流程，实现了在低电压、低功耗和低噪声条件下的高性能高压生成，适用于移动设备应用。
Abstract
High-voltage analog circuits, including a novel high-
voltage regulation scheme, are presented with emphasis on low
supply voltage, low power consumption, low area overhead, and
low noise, which are key design metrics for implementing NAND
Flash memory in a mobile handset. Regulated high voltage gener-
ation at low supply voltage is achieved with optimized oscillator,
high-voltage charge pump, and voltage regulator circuits. We de-
veloped a design methodology for a high-voltage charge pump to
m