JSSC 2008第2期RF & Wireless

Sensitivity Degradation in a Tri-Band GSM BiCMOS Direct-Conversion Receiver Caus

本文分析了瞬态热效应对三频GSM BiCMOS接收器DCS路径灵敏度的影响，并提出改进方案。

灵敏度提升2 dB至4 dB

三频GSMBiCMOS直接转换接收器热效应灵敏度

▸创新点1：引入简单的热模型，该方法创新在于通过简化复杂的衬底热效应，建立了易于集成到标准模拟电路仿真器中的热模型，显著提高了仿真效率。

▸创新点2：实现电热电路-衬底联合仿真，系统创新在于将热模型与电路仿真无缝结合，能够同时分析电路性能和热效应，提供了更全面的设计验证手段。

▸创新点3：通过仿真预测不同电路布局对热梯度的敏感性，方法创新在于利用仿真结果指导电路布局优化，显著提升了接收器的灵敏度，实测改进达2 dB至4 dB。

▸创新点4：提出基于热效应的电路布局优化指南，系统创新在于将热分析与电路设计流程紧密结合，为多频段接收器的设计提供了新的设计思路和优化方向。

Abstract

An analysis of transient thermal substrate ef- fects impairing the sensitivity of the DCS path in a tri-band GSM/DCS/PCS BiCMOS radio receiver is presented in this paper. A simple thermal model of the substrate is employed, enabling concurrent electrothermal circuit-substrate simulations within a standard analog circuit simulator. Simulation results obtained with this approach match very closely the measured data, and are used to predict the sensitivity of different circuit layout con- ﬁguration