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JSSC 2008第4期Memory90nm/0.13µm

APRIL 2008 VOLUME 43 NUMBER 4 IJSCBC ISSN 0018-9200 SPECIAL ISSUE ON THE 2007 SY

2008年IEEE JSSC期刊特刊,涵盖数字电路设计、存储器及模拟电路等领域的最新研究成果。
90nm CMOS, 1.25ps分辨率, 1.35GS/s采样率, 0.5V工作电压
数字电路设计存储器模拟电路ADCCMOS
时间数字转换器的时间残差放大技术
时间交织ADC的高采样率设计
低电压下高性能流水线ADC的实现
Abstract
K . Y a n o a n d K .Nakamura 755 SPECIAL 20TH ANNIVERSARY PAPERS Digital Circuit Design Trends ............................... ............................... M . H o r owitz, D. Stark, and E. Alon 757 Memory at VLSI Circuits Symposium ... ................ ................... K . Itoh, H. Kurata, K. Osada, and T. Sekiguchi 762 ANALOG A 9 b, 1.25 ps Resolution Coarse–Fine Time-to-Digital Converter in 90 nm CMOS that Amplifies a Time Residue ...... ................................................