← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第4期RF & Wireless0.18微米
A High Data-Rate Energy-Efficient Interference- Tolerant Fully Integrated CMOS Fr
一款低功耗高数据率的超宽带收发器，采用0.18微米CMOS工艺，实现1Gbps数据传输。
1.8V供电，接收模式98mW，发射模式108mW，最大增益82dB，噪声系数4.5-5.4dB，IIP3 5-10dBm
超宽带CMOS低功耗高数据率干扰容忍
▸创新点1：脉冲超宽带技术（UWB-IR）在3.25–4.75 GHz频段实现1 Gbps高数据率通信，采用0.18μm CMOS工艺，接收模式功耗98 mW（98 pJ/b），发射模式功耗108 mW（108 pJ/b），是目前文献中能耗最低的UWB收发器。
▸创新点2：高线性度RF电路设计结合频率通道化架构和激进基带滤波，实现干扰容忍接收器，能容忍带内和带外窄带干扰分别达-20 dBm和0 dBm，噪声系数4.5-5.4 dB，IIP3达5-10 dBm。
▸创新点3：数字可编程发射器支持高达1.5 Gbps的数据率，输出摆幅达800 mVpp（50Ω负载），通过全集成CMOS设计实现低复杂度调制。
▸创新点4：系统级创新通过通道间隔离度47 dB和82 dB最大电压增益，在57 dB典型增益下实现多频段共存（2.4/5 GHz ISM频段），突破传统窄带系统的带宽限制。
Abstract
dio
Ali Medi, Member , IEEE, and Won Namgoong , Senior Member , IEEE
Abstract—A pulse-based ultra-wideband transceiver (UWB-IR)
operating in the 3.25–4.75 GHz band designed for low power and
high data rate communication is implemented in 0.18
m CMOS
technology. When operating at 1 Gbps data rate, it dissipates 98
mW (98 pJ/b) in the receive-mode and 108 mW (108 pJ/b) in the
transmit-mode from a 1.8 V supply [1]. Compared to UWB trans-
ceivers reported in the literature, this chip dissipates the