← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第5期RF & Wireless90nm
A Broadband Low-Cost Direct-Conversion Receiver Front-End in 90 nm CMOS
一款90纳米CMOS工艺的宽带低成本直接转换接收器前端
44 dB增益, 3.4 dB双带噪声系数, 21 dBm带内IIP3, 15 dB输入匹配
宽带低成本直接转换无电感接收器前端
▸创新点1：无电感设计 - 通过利用90 nm CMOS工艺中晶体管的高速度，设计出无电感的接收器前端，显著降低了成本和芯片面积，同时保持了高性能。
▸创新点2：高度集成的宽带接收器前端 - 实现了从2 GHz到5.8 GHz的宽带操作，提供了44 dB的增益和3.4 dB的双边带噪声系数，展示了高度集成的优势。
▸创新点3：利用晶体管速度优化成本 - 通过优化晶体管的速度，设计出低成本的接收器前端，功耗仅为85 mW，同时实现了21 dBm的带内IIP3和15 dB的输入匹配。
▸创新点4：电流模式无源混频器 - 采用电流模式无源混频器技术，进一步提高了接收器的线性度和噪声性能，适用于多标准宽带应用。
Abstract
ember , IEEE, and Stewart S. Taylor , Fellow, IEEE
Abstract—Transistors in aggressively scaled CMOS technologies
have f /84 greater than 150 GHz, which exceeds requirements for
most existing commercial applications below 10 GHz. Excess tran-
sistor performance can be traded-off for cost by designing out in-
ductors. This paper presents a prototype which exploits the speed
of transistors to design highly integrated broadband receiver front-
ends. The inductor-less prototype operates from 2 to 5.8