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JSSC 2008第5期RF & Wireless0.13μmLNA

A Highly Linear Broadband CMOS LNA Employing Noise and Distortion Cancellation W

一种采用噪声和失真抵消技术的高线性宽带CMOS LNA设计
0.13μm CMOS, 1.5V, 11.6mA, 14.5dB增益, 2.6dB噪声系数
宽带LNA失真抵消噪声抵消共源共栅Volterra级数分析
创新点1:同时噪声和失真抵消技术(方法创新) - 该论文提出了一种创新的方法,通过在共源共栅级联结构中同时抵消噪声和失真,显著提高了LNA的线性度和噪声性能。具体实现了2.6 dB的噪声系数和16 dBm的IIP3,覆盖800 MHz至2.1 GHz的宽带范围。
创新点2:共源共栅级联的固有三阶失真抵消(电路创新) - 通过共源和共栅级联的独特设计,论文展示了如何抵消各阶段的固有三阶失真,从而显著提升线性度。这一技术使得LNA在900 MHz和2 GHz频段均实现了16 dBm的IIP3。
创新点3:二阶失真自由电路技术(电路创新) - 论文在共栅级中引入了一种创新的二阶失真自由电路技术,进一步消除了三阶失真,从而优化了LNA的整体线性度。这一技术使得LNA在宽带范围内保持了高线性度。
创新点4:宽带电感less设计(系统创新) - 论文采用电感less设计,实现了从800 MHz到2.1 GHz的宽带性能,同时减少了芯片面积和成本。这一设计在0.13μm CMOS工艺下实现了14.5 dB的内部增益和11.6 mA的电流消耗。
Abstract
ember , IEEE, Boos Zdravko, and Ali M. Niknejad , Member , IEEE Abstract—A broadband inductorless low-noise amplifier (LNA) design that utilizes simultaneous noise and distortion cancellation is presented. Concurrent cancellation of the intrinsic third-order distortion from individual stages is exhibited with the common- gate and common-source cascade. The LNA IIP /51is then limited by the second-order interaction between the common source and common gate stages, which is common in all cascade am