← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第6期RF & Wireless0.18μm SiGe BiCMOSPhased Array
An X- and K u-Band 8-Element Phased-Array Receiver in 018-22m SiGe BiCMOS Techno
本文展示了一种用于X和K波段的8元素相控阵接收器，采用0.18μm SiGe BiCMOS技术。
0.18μm SiGe BiCMOS, 3.3V, 100-200mA, 4.2-13.2dB NF, 162.5±12.5ps group delay
相控阵接收器SiGe BiCMOS全RF架构低噪声宽带宽
▸创新点1：全RF架构的创新设计，通过在射频级别实现相位偏移和功率合成，显著降低了系统复杂度并提高了集成度，支持6-18GHz宽频带操作，RMS相位误差仅为1.8度。
▸创新点2：低RMS相位和增益误差的技术突破，采用精确的4位相位控制，实现RMS增益误差0.9dB和相位误差1.8度，提升了阵列的波束成形精度和信号质量。
▸创新点3：宽带宽操作能力，支持3-6GHz瞬时带宽，中心频率可调，覆盖X和Ku波段，适应多种雷达和通信应用场景，具有高度灵活性。
▸创新点4：高集成度的SiGe BiCMOS工艺实现，将数字控制电路和ESD保护集成于单芯片，尺寸仅为2.53mm²，功耗控制在100-200mA@3.3V，展现了先进的工艺兼容性。
Abstract
briel M. Rebeiz , Fellow, IEEE
Abstract—This paper demonstrates an 8-element phased array
receiver in a standard 0.18-
m SiGe BiCMOS (1P6M, SiGe HBT
/49/53/48GHz) technology for X- and K
-band applications.
The array receiver adopts theAll-RF architecture, where the phase
shifting and power combining are done at the RF level. With the in-
tegrations of all the digital control circuitry and ESD protection for
all I/O pads, the receiver consumes a current of 100
200 mA from
a 3.3 V supply voltag