← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第7期Other0.18μm
40 MHz IF 1 MHz Bandwidth Two-Path Bandpass 61Modulator With 72 dB DR Consuming
介绍了一种40 MHz中频、1 MHz带宽的双路径带通ΣΔ调制器，具有72 dB动态范围和低功耗特性。
0.18μm CMOS, 1.8V, 60MHz时钟, 16mW功耗, 72dB DR, 65.1dB峰值SNR
带通ΣΔ调制器模数转换CMOS集成电路中频信号低功耗设计
▸创新点1：双时间交错二阶调制器（系统创新）。通过两个时间交错二阶调制器的并行工作，显著提升了系统的动态范围和信噪比，实现了72 dB的动态范围和65.1 dB的峰值信噪比。
▸创新点2：交叉耦合路径设计（电路创新）。采用交叉耦合路径结构，有效抑制了失配引起的谐波干扰，确保信号带内区域不受影响，提升了系统的稳定性和抗干扰能力。
▸创新点3：40 MHz中频分裂零点技术（方法创新）。通过在40 MHz中频处设置分裂零点，实现了1 MHz的信号带宽，优化了噪声整形效果，提高了系统的频率选择性和信号处理精度。
▸创新点4：低功耗设计（系统创新）。采用0.18 μm CMOS工艺，结合60 MHz时钟频率和1.8 V电源电压，实现了16 mW的低功耗，适用于便携式通信系统。
Abstract
Bonizzoni , Member , IEEE, Piero Malcovati , Senior Member , IEEE,
Gabriele Manganaro, Senior Member , IEEE, and Franco Maloberti , Fellow, IEEE
Abstract—A bandpass /6/1modulator with two time-interleaved
second-order modulators and cross-coupled paths is described.
Split zeros around the 40 MHz IF provide a signal band of 1 MHz
with 72 dB
/70/83DR and 65.1 dB peak SNR. The circuit, integrated
in a 0.18
m CMOS technology, uses a 60 MHz clock per channel.
Experimental results show that the in-b