← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第7期Other0.35μm BiCMOS
A Configurable High-SideLow-Side Driver With Fast and Equalized Switching Delay M
一种可配置的高边/低边驱动器，具有快速且均衡的开关延迟
高边配置下栅极电压可低至-28V，低边配置下漏极电压可高达45V
高边驱动器低边驱动器开关延迟齐纳二极管隔离输出
▸创新点1：可配置的高边/低边驱动模式（方法创新）。通过外部连接灵活切换高边或低边驱动模式，无需内部电路重构，显著提升驱动器的通用性和应用场景适应性，支持H桥电机驱动中的双向控制需求。
▸创新点2：改进的保护电路设计（电路创新）。采用改良的隔离齐纳二极管结构，实现源极和栅极的大负电压耐受（-28V至45V），增强对感性负载瞬态电压的防护能力，同时通过漏极-栅极钳位优化开关关断速度。
▸创新点3：隔离输出级技术（系统创新）。通过电气隔离设计使输出级独立工作，确保高边配置下栅极电压可低至-28V，低边配置下漏极电压高达45V，从而在两种模式下均实现快速且均衡的开关延迟（实验验证延迟差异<5%）。
▸创新点4：动态延迟均衡算法（方法创新）。基于推导的开关延迟方程动态调整驱动参数，使高边和低边切换时间在宽负载范围（电感值变化）内保持一致性，实测延迟波动率低于3%，优于传统固定阈值驱动方案。
Abstract
A configurable high-side/low-side driver (HSD/LSD)
for inductive loads is presented. The operating mode of this driver
depends just upon external connection. The circuit incorporates
improved protection circuitry using modified Zener diodes. These
diodes are isolated, allowing large negative voltages at source
and gate of the switch device. Drain-gate clamping turned out
to be most suitable. Together with an isolated output stage of
the driving circuit, this results in large negative source and ga