← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第7期Image Sensors0.18μm 2P3M CMOSCMOS Image Sensor
A Wide DR and Linear Response CMOS Image Sensor With Three Photocurrent Integrat
一种具有宽动态范围和线性响应的CMOS图像传感器，采用三种光电流积分技术。
100 dB动态范围，180 dB入射光动态范围，1/3英寸图像传感器
CMOS图像传感器宽动态范围线性响应光电流积分高信噪比
▸创新点1：采用三种光电流积分技术（像素内光电二极管积分、横向溢出积分和列电容器积分），通过多模式协同工作实现从低光到强光的无缝线性响应，单次曝光动态范围达100 dB，突破了传统传感器分段响应的非线性限制。
▸创新点2：创新性引入像素横向溢出电容器结构，在低光条件下通过电荷溢出控制扩展动态范围，同时结合列电容器在强光下直接积分光电流，形成互补工作机制，使整体动态范围提升至180 dB以上。
▸创新点3：提出列电容器直接积分技术，在极强光照条件下绕过传统像素级积分路径，将光电流直接注入列级电容器进行模数转换，显著降低饱和失真，实现高信噪比（S/N）的线性响应。
▸创新点4：通过0.18μm CMOS工艺集成三种积分路径（光电二极管/横向溢出/列电容器），在单芯片上实现多模式自适应切换，兼顾低噪声（1.4 lux以下灵敏度）与超高动态范围（2.4×10^5 lux饱和照度），为工业检测和车载应用提供硬件级解决方案。
Abstract
and
Column Capacitors
Noriko Ide, Woonghee Lee, Nana Akahane, and Shigetoshi Sugawa , Member , IEEE
Abstract—A 1/3-inch, /56/48/48/72
/54/48/48/86 /112/105/120/101/108/115, 5.6
5.6
m/50
color CMOS image sensor with three photocurrent integrations
in pixel photodiodes, pixel lateral overflow capacitors and column
capacitors fabricated in a 0.18
m 2P3M CMOS technology has
been reported. The image sensor operates using photodiode inte-
grations and lateral overflow integrations in low light condi