← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第7期Other
An Assessment of µ-Czochralski Single-Grain Silicon Thin-Film Transistor Technol
评估采用µ-Czochralski单晶硅薄膜晶体管技术在模拟和射频应用中的性能。
DC增益55 dB，带宽6.3 MHz，PSRR 50 dB
单晶硅薄膜晶体管模拟电路射频放大器低温工艺
▸创新点1：采用µ-Czochralski单晶硅薄膜晶体管技术，通过位置控制的晶粒和准分子激光再结晶技术，实现了高性能的硅基薄膜晶体管，其电子迁移率接近单晶硅MOSFET水平（/84 comparable），为柔性电子提供了单晶级性能。
▸创新点2：开发了低温工艺（<350°C），使得该技术可兼容低成本柔性塑料基板，突破了传统高温工艺对基板材料的限制，为柔性电子系统的大面积集成提供了可行性。
▸创新点3：首次在SG-TFT技术上实现了模拟与射频电路的集成，包括55dB增益的运算放大器和12dB增益的433MHz射频放大器，证明了该技术在混合信号系统中的潜力。
▸创新点4：通过改进的BSIM-SOI模型实现了与实验数据的高度吻合，为SG-TFT技术的电路设计和仿真提供了可靠工具，加速了该技术的设计迭代周期。
Abstract
Single-grain (SG) thin-film transistors (TFTs)
fabricated inside location-controlled silicon grains using the
-Czochralski method are benchmarked for analog and RF
applications. Each silicon grain is defined by excimer laser recrys-
tallization of polysilicon. Thin-film transistors may be fabricated
in this manner on silicon or low-cost flexible plastic substrates
as processing temperatures remain below 350
C, making the
SG-TFT a potential enabling technology for large-area highly
integrated electro