JSSC 2008第9期RF & Wireless0.35μm SiGe-Bipolar

A Quad-Band GSMEDGE-Compliant SiGe-Bipolar Power Ampliﬁer

一款符合GSM/EDGE标准的四频段SiGe双极功率放大器芯片

3.3V下830MHz输出35.9dBm，1710MHz输出32.3dBm，峰值功率附加效率分别为56%和44%

功率放大器SiGe双极GSM/EDGE四频段集成控制电路

▸创新点1：集成两个单端三级功率放大器，采用SiGe-Bipolar技术实现多频段兼容（824–915 MHz和1710–1910 MHz），通过三级结构优化功率输出和效率，低波段峰值功率附加效率（PAE）达56%，高波段为44%。

▸创新点2：内置波段选择和控制电路，通过集成化设计减少外部组件依赖，支持四频段GSM/EDGE标准，实现动态频段切换和模式相关静态电流调节，提升系统灵活性和能效。

▸创新点3：采用片上电压调节环路进行功率控制，结合外部P沟道MOS晶体管模块，实现精确的功率输出调节（如830 MHz时35.9 dBm饱和输出功率），增强稳定性和响应速度。

▸创新点4：基于0.35μm SiGe-Bipolar工艺的完整射频功率放大器解决方案，将功率放大器、控制电路和调节模块高度集成，显著缩小封装尺寸并降低功耗，适用于移动通信设备。

Abstract

A standard-compliant integrated quad-band GSM/EDGE radio frequency power ampliﬁer for 824–915 MHz and 1710–1910 MHz has been realized in a 0.35- m SiGe-Bipolar technology. The chip integrates two single-ended three-stage power ampliﬁers and control circuitry for band-select, power loop control and mode dependent quiescent currents. For power con- trol, an on-chip voltage regulation loop is implemented, using an external P-channel MOS-transistor on a laminate module. At 3.3 V a saturated output p