← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第9期RF & Wireless硅锗BiCMOSNeural Network Accelerator
A Silicon-Germanium Receiver for X-Band TransmitReceive Radar Modules
研究硅锗BiCMOS技术在X波段雷达收发模块中的应用，展示了一个5位接收器的性能。
8-10.7 GHz, 11 dB增益, 4.1 dB噪声系数, 13 dBm输入三阶截点, 33 mW功耗
硅锗BiCMOSX波段雷达接收器
▸创新点1：硅锗BiCMOS技术在X波段雷达接收器中的应用。该方法创新利用SiGe BiCMOS技术的高频特性，实现了8-10.7 GHz频段的高性能接收器，展示了该技术在雷达系统中的潜力。
▸创新点2：5位接收器设计。电路创新通过5位设计实现了32个独立的相位状态，相位误差低至9度，增益误差仅为0.6 dB，显著提升了雷达系统的精度和灵活性。
▸创新点3：低功耗高性能。系统创新在仅消耗33 mW功率的情况下，实现了11 dB增益、4.1 dB噪声系数和13 dBm的输入三阶截点，展示了高效能比的电路设计。
▸创新点4：集成X波段相控阵雷达收发模块。系统创新通过SiGe BiCMOS技术的高集成能力，为X波段相控阵雷达提供了紧凑且高性能的解决方案，推动了雷达系统的小型化和集成化。
Abstract
This work investigates the potential of commer-
cially-available silicon-germanium (SiGe) BiCMOS technology
for X-band transmit/receive (T/R) radar modules, focusing on the
receiver section of the module. A 5-bit receiver operating from 8 to
10.7 GHz is presented, demonstrating a gain of 11 dB, and average
noise figure of 4.1 dB, and an input-referred third-order intercept
point
/40IIP/51/41of
13 dBm, while only dissipating 33 mW of power.
The receiver is capable of providing 32 distinct phase s