← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第10期Wireline I/O0.18μm SiGe BiCMOS
A Large Swing 40-Gbs SiGe BiCMOS Driver With Adjustable Pre-Emphasis for Data Tr
一款具有可调预加重功能的大型摆动40-Gb/s SiGe BiCMOS驱动器
42 dB差分小信号增益，22 GHz 3-dB带宽，20 GHz时增益峰值控制达25 dB
SiGe BiCMOS电缆驱动器预加重高压HBT分布式架构
▸创新点1：采用分布式限制架构（Distributed Limiting Architecture），通过将高速HBTs用于低压预驱动级和高压输出级，实现了在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下的40-Gb/s高速数据传输，显著提升了带宽和信号完整性。
▸创新点2：高压输出级采用MOS-HV-HBT级联结构（MOS-HV-HBT Cascode），结合0.18μm n-channel MOSFET和高电压HBT（HV-HBT），实现了高达3.6 V的峰峰值输出，同时优化了功率效率和线性度。
▸创新点3：可调预加重范围0至400%（Adjustable Pre-Emphasis），通过动态调整预加重强度，有效补偿电缆传输中的高频衰减，支持38 Gb/s的数据速率和长达40米的Belden电缆传输，无需接收端均衡。
▸创新点4：集成多参数控制功能，包括输出幅度控制（1V至3.6V）、脉冲宽度控制（35%至65%）和可调输入直流电平（1.1V至1.8V），增强了与不同SERDES接口的兼容性，同时提供了灵活的系统级优化能力。
Abstract
Andres Aroca and Sorin P . V oinigescu, Senior Member, IEEE
Abstract—A fully differential 40-Gb/s cable driver with ad-
justable pre-emphasis is presented. The circuit is fabricated in
a production 0.18
m SiGe BiCMOS technology. A distributed
limiting architecture is used for the driver employing high-speed
HBTs in the lower voltage predriver , and a high-breakdown
MOS-HV-HBT cascode, consisting of a 0.18
m n-channel
MOSFET and a high-voltage HBT (HV-HBT), for the high voltage
output stages. The