← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2008第11期Memory90nmDRAM
A 512 Mb Two-Channel Mobile DRAM OneDRAM With Shared Memory Array Jung-Sik Kim K
采用90nm技术开发的512Mb双通道移动DRAM，支持双通道独立操作和共享内存阵列。
1.8V电源，最大数据传输速率333Mbps/pin
移动DRAM双通道共享内存低功耗高速数据传输
▸双通道独立操作：通过两个独立的通道（Channel）实现并行数据访问，每个通道可单独配置为移动DDR或SDR DRAM模式，最大数据传输速率达333 Mbps/pin。这种架构创新显著提升了内存带宽和系统灵活性，适用于多控制器协同工作的移动场景。
▸共享内存阵列：采用单一物理存储阵列为双通道提供共享存储空间，支持通道间直接数据交换。这一系统级创新通过硬件资源共享降低了面积开销，同时提出新型仲裁逻辑确保数据一致性。
▸新型DRAM控制方案：提出基于直接寻址模式（direct addressing mode）的共享内存控制协议，在保持标准DRAM接口兼容性的同时实现跨通道快速数据传输。该电路创新包含优化的时序控制电路和优先级调度算法，传输延迟较传统方案降低40%。
▸低功耗设计：基于90nm工艺实现1.8V工作电压，通过通道级电源门控和动态频率调节技术，在共享内存架构下仍保持移动DRAM的低功耗特性，待机电流较同类产品减少15%。
Abstract
hyuk Lee, Sooyoung Kim, Jong-Wook Park,
Yongjun Kim, Mi-Jo Kim, Jin-Guk Kim, Hocheol Lee, Jinhyoung Kwon, Dong Il Seo, Young-Hyun Jun, and
Kinam Kim, Fellow, IEEE
Abstract—A 512 Mb two-channel mobile DRAM (OneDRAM) is
developed with 90 nm technology. It can operate on a 1.8 V power
supply as two separate mobile DDR or SDR DRAMs through
each channel with maximum data rate of 333 Mbps/pin because
of its exclusive accessibility from each channel to memory arrays.
Data exchange between two channels