← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第1期Memory65nm
A 65 nm 2-Billion Transistor Quad-Core Itanium Processor Blaine Stackhouse Sal B
65nm工艺的Itanium处理器,集成20.5亿晶体管,四核双线程,30MB缓存。
65nm CMOS, 2.4GHz, 105°C, 96GB/s处理器间带宽, 34GB/s内存带宽
65nm工艺电路设计时钟分配计算机架构片上缓存
▸创新点1:首次报道20亿晶体管微处理器,采用65 nm工艺和8层铜互连技术,实现了21.5 mm × 32.5 mm的芯片尺寸,标志着晶体管集成度的重大突破(系统创新)。
▸创新点2:四核双线程架构,每个核心支持双线程,结合6 MB三级缓存和Intel Cache Safe技术,显著提升了多任务处理能力和性能(架构创新)。
▸创新点3:高速串行互连技术,支持96 GB/s的处理器间峰值带宽和34 GB/s的内存峰值带宽,大幅提升了数据传输效率(电路创新)。
▸创新点4:集成双内存控制器和12端口交叉路由器,支持目录式缓存一致性协议,优化了多核间的通信和内存访问效率(系统创新)。
Abstract
er, Jayen Desai, Erin Francom,
Mike Gowan, Paul Gronowski, Dan Krueger, Charles Morganti, and Steve Troyer
Abstract—This paper describes an Itanium processor imple-
mented in 65 nm process with 8 layers of Cu interconnect. The
21.5 mm by 32.5 mm die has 2.05B transistors. The processor has
four dual-threaded cores, 30 MB of cache, and a system interface
that operates at 2.4 GHz at 105
C. High speed serial interconnects
allow for peak processor-to-processor bandwidth of 96 GB/s and
peak memory ba