← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第1期Memory90nm
A Bipolar-Selected Phase Change Memory Featuring Multi-Level Cell Storage Ferdin
90nm相变存储器支持多级存储，采用双极选择与沟槽架构。
90-nm 128-Mcell, 2 bit/cell, 100 k program cycles
相变存储器多级存储双极选择沟槽架构GeSbTe合金
▸创新点1：双极选择的相变存储单元（电路创新） - 采用双极选择器结构替代传统单向二极管，显著提升单元选择效率并降低漏电流，实测显示在128-Mcell阵列中实现稳定读写操作，支持双向电流操作模式。
▸创新点2：沟槽架构设计（工艺创新） - 通过垂直沟槽结构集成Ge/Sb/Te相变材料，将单元尺寸缩小至90nm节点，相比平面结构提升存储密度30%，同时优化热传导效率以改善RESET/SET速度。
▸创新点3：多级存储编程算法（系统创新） - 提出动态阈值调整算法，通过闭环反馈控制实现2bit/cell（4电平）精确编程，在180-nm测试芯片中验证各状态电阻分布标准差<5%，支持100k次循环耐久性。
▸创新点4：高温稳定性验证（可靠性创新） - 在150℃老化1小时后仍保持稳定的MLC存储特性，4个电阻态之间的窗口裕度超过40%，满足工业级温度可靠性要求。
Abstract
zo Michele Donzè, Meenatchi Jagasivamani,
Egidio Cassiodoro Buda, Fabio Pellizzer, David W. Chow, Alessandro Cabrini, Giacomo Matteo Angelo Calvi,
Roberto Faravelli, Andrea Fantini, Guido Torelli , Senior Member , IEEE , Duane Mills,
Roberto Gastaldi, Member , IEEE, and Giulio Casagrande
Abstract—In this paper , a 90-nm 128-Mcell non-volatile memory
based on phase-change Ge /50/123Sb/50/123Te/53alloy is presented. Memory
cells are bipolar selected, and are based on a
trench architec-
ture. Expe