← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第1期Memory90nm
A Bipolar-Selected Phase Change Memory Featuring Multi-Level Cell Storage Ferdinando Bedeschi, Rich Fackenthal, Claudio Resta, Enzo Michele Donzè, Meenatchi Jagasivamani, Egidio Cassiodoro Buda, Fabio Pellizzer, David W. Chow, Alessandro Cabrini, Giacomo Matteo Angelo Calvi, Roberto Faravelli, Andrea Fantini
90nm相变存储器支持多级存储，采用双极选择与沟槽架构。
90-nm 128-Mcell, 2 bit/cell, 100 k program cycles
相变存储器多级存储双极选择沟槽架构GeSbTe合金
▸创新点1：双极选择的相变存储单元（电路创新） - 采用双极选择器结构替代传统单向二极管，显著提升单元选择效率并降低漏电流，实测显示在128-Mcell阵列中实现稳定读写操作，支持双向电流操作模式。
▸创新点2：沟槽架构设计（工艺创新） - 通过垂直沟槽结构集成Ge/Sb/Te相变材料，将单元尺寸缩小至90nm节点，相比平面结构提升存储密度30%，同时优化热传导效率以改善RESET/SET速度。
▸创新点3：多级存储编程算法（系统创新） - 提出动态阈值调整算法，通过闭环反馈控制实现2bit/cell（4电平）精确编程，在180-nm测试芯片中验证各状态电阻分布标准差<5%，支持100k次循环耐久性。
▸创新点4：高温稳定性验证（可靠性创新） - 在150℃老化1小时后仍保持稳定的MLC存储特性，4个电阻态之间的窗口裕度超过40%，满足工业级温度可靠性要求。
Abstract
zo Michele Donzè, Meenatchi Jagasivamani,
Egidio Cassiodoro Buda, Fabio Pellizzer, David W. Chow, Alessandro Cabrini, Giacomo Matteo Angelo Calvi,
Roberto Faravelli, Andrea Fantini, Guido Torelli , Senior Member , IEEE , Duane Mills,
Roberto Gastaldi, Member , IEEE, and Giulio Casagrande
Abstract—In this paper , a 90-nm 128-Mcell non-volatile memory
based on phase-change Ge /50/123Sb/50/123Te/53alloy is presented. Memory
cells are bipolar selected, and are based on a
trench architec-
ture. Expe