JSSC 2009第1期Memory45nmSRAM

A High-Density 45 nm SRAM Using Small-Signal Non-Strobed Regenerative Sensing

本文提出了一种用于高密度SRAM的小信号非选通再生传感技术，显著提升了读取稳定性和速度。

45nm CMOS, 64-kb阵列, 访问时间σ提升4倍, 最坏情况访问时间减少34%

高密度SRAM小信号传感偏移补偿自触发再生45nm CMOS

▸创新点1：采用简单偏移补偿减少变异敏感性。该方法通过电路创新，在高速节点上施加最小负载，有效降低了工艺变异对SRAM读取性能的影响，提升了访问时间的稳定性。

▸创新点2：利用稳定内部电压参考自触发再生。通过系统创新，使用稳定的内部电压参考作为自触发再生的手段，避免了外部触发路径的失配问题，提高了SRAM的可靠性和性能。

▸创新点3：精确小信号检测适应小读取电流。该方法通过电路创新，实现了对小读取电流的精确检测，使得其他比特单元参数可以进一步优化，提升了SRAM的整体性能。

▸创新点4：单端感应提供兼容性。通过电路创新，单端感应技术使得SRAM能够兼容非对称比特单元，从而改善了操作裕度，进一步提升了SRAM的性能和可靠性。

Abstract

P . Chandrakasan , Fellow, IEEE Abstract—High-density SRAMs utilize aggressively small bit-cells, which are subject to extreme variability, degrading their read SNM and read-current. Additionally, array performance is also limited by sense-ampliﬁer offset and strobe-timing un- certainty. This paper, presents a sense-ampliﬁer that targets all of these performance degradations: speciﬁcally, simple offset compensation reduces sensitivity to variation while imposing minimal loading on high-speed nod