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JSSC 2009第1期Memory65nm

Architecture and Physical Implementation of a Third Generation 65 nm 16 Core 32

第三代65纳米16核32线程SPARC处理器架构与物理实现
65nm CMOS, 1.2V, 2.3GHz, 250W
SPARC处理器多核架构高性能服务器电路创新65纳米工艺
系统创新:共享内存架构通过16核共享内存设计,显著提升多线程应用的并行处理能力,支持32主线程和32侦察线程,优化了高并发场景下的性能。
系统创新:多线程优化针对单线程和多线程应用进行深度优化,通过动态线程调度和资源分配,确保在高性能服务器场景下的高效运行。
电路创新:低面积开销电路创新在内存阵列、寄存器文件和浮点硬件中引入新型电路设计,提升了性能和电路鲁棒性,同时保持较低的面积开销,适用于65 nm CMOS工艺。
电路创新:高性能浮点硬件设计通过优化浮点运算单元,支持2.3 GHz的高频运行,最大功耗250 W,显著提升了计算密集型应用的执行效率。
Abstract
This third-generation Chip-Multithreading (CMT) SPARC processor consists of 16 cores with shared memory architecture and supports a total of 32 main threads plus 32 scout threads. It is targeted for high-performance servers, and is optimized for both single- and multi-threaded applications. The 396 mm /50chip is fabricated in an 11 metal layer 65-nm CMOS process and operates at a nominal frequency of 2.3 GHz, con- suming a maximum power of 250 W at 1.2 V. This paper provides an overview of the a