← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第2期Memory130nmSRAM
SRAM Cell Stability A Dynamic Perspective Mohammad Sharifkhani Member IEEE and
提出SRAM单元动态数据稳定性标准，揭示噪声容限可高于传统静态噪声容限。
130 nm CMOS
SRAM动态稳定性噪声容限亚阈值CMOS
▸创新点1：动态数据稳定性标准 - 提出基于动态环境（访问与非访问条件交替）的SRAM单元数据稳定性评估方法，突破了传统静态DC蝴蝶曲线三交点准则的限制，通过动态特性分析揭示真实噪声容限可显著高于传统静态噪声容限（SNM）。
▸创新点2：扩展噪声容限方法 - 利用单元访问时间远小于单元时间常数的特性，在亚阈值SRAM中实现噪声容限的扩展，通过动态稳定性准则重新定义边界条件，提升电路在低电压下的可靠性。
▸创新点3：模拟验证方法创新 - 开发针对动态数据稳定性准则的仿真验证流程，结合130nm CMOS工艺硅测量结果，证实动态稳定性理论的有效性，并提供设计参数（时序与静态参数）的优化权衡依据。
▸创新点4：亚阈值操作时序优化 - 通过合理选择访问与恢复时间，利用亚阈值操作的长时时间常数特性维持数据稳定性，为低功耗SRAM设计提供新的时序控制策略。
Abstract
SRAM cell stability assessment is traditionally based
on static criteria of data stability requiring three coincident points
in DC butterfly curves. This definition is based on static (DC) char-
acteristics of the cell transistors. We introduce the dynamic criteria
of cell data stability knowing that the cell operates in a dynamic en-
vironment alternating between access and non-access conditions.
The proposed definition of the dynamic data stability criteria in-
troduces a new bound for the cell s