← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第2期mm-Wave90nm
Systematic Transistor and Inductor Modeling for Millimeter-Wave Design
提出毫米波CMOS电路的仿真建模方法，提高设计和布局灵活性。
40 GHz至130 GHz振荡器设计验证
高频MOS模型电感模型互连模型毫米波电路设计毫米波布局技术
▸创新点1：基于仿真的晶体管建模方法（方法创新） - 提出了一种系统化的仿真建模方法，替代传统测量模型，支持多种器件几何形状，显著提升毫米波电路设计的灵活性和准确性，最大频率预测误差仅3.2%。
▸创新点2：金属化电容物理模型（模型创新） - 建立了晶体管金属化电容的物理模型，首次量化了互联寄生效应在毫米波频段的影响，解决了传统提取工具忽略频率依赖性和分布效应的问题。
▸创新点3：利用电容提升性能的布局技术（工艺创新） - 开发了新型布局技术，主动利用金属化电容优化电路性能，在40-130GHz振荡器设计中实现性能提升，无需制造迭代即达成设计目标。
▸创新点4：多频段验证（验证创新） - 在90nm CMOS工艺上成功设计并测试了5个覆盖40GHz至130GHz的振荡器，全面验证了模型在宽频带内的适用性和准确性。
Abstract
, Fellow, IEEE
Abstract—This paper proposes a simulation-based modeling
methodology that provides greater flexibility in the design and
layout of millimeter-wave CMOS circuits than measurement-
based models do. A physical model for the metallization capaci-
tances of the transistors is described and new layout techniques
are introduced that exploit these capacitances to improve the
circuit performance. The accuracy of the models is verified by the
design and measurement of five oscillators operati