← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第3期Wireline I/O180nm
A High-Speed Inductive-Coupling Link With Burst Transmission Noriyuki Miura Memb
一种高速电感耦合链路，在180nm CMOS工艺下实现11Gb/s的数据传输速率，通信距离达15米。
180nm CMOS, 11Gb/s, 15m
高速电感耦合CMOS突发传输数据链路布局优化
▸创新点1：实现了11Gb/s的高速数据传输（系统创新），在180nm CMOS工艺下，显著提升了数据传输速率，比现有电感耦合链路快11倍。
▸创新点2：支持15米的通信距离（系统创新），在相同数据速率、误码率和布局面积下，比电容耦合链路通信距离延长5米，扩展了应用场景。
▸创新点3：采用突发传输技术（方法创新），将多比特数据链路复用为单条突发数据链路，在180nm CMOS工艺下减少布局面积至1/3，在90nm CMOS工艺下减少至1/9，优化了芯片面积利用率。
▸创新点4：在180nm CMOS工艺下实现高集成度（电路创新），通过优化电路设计和布局，实现了高性能与低功耗的平衡，适用于大规模集成电路应用。
Abstract
A high-speed inductive-coupling link is presented. It
communicates at a data rate of 11 Gb/s for a communication dis-
tance of 15
m in 180 nm CMOS. The data rate is 11
higher than
previous inductive-coupling links. The communication distance is
5
longer than a capacitive-coupling link for the same data rate,
bit error rate, and layout area. Burst transmission utilizing the
high-speed inductive-coupling link is also presented. Multi-bit data
links are multiplexed into a single burst data link.