← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第3期Memory0.25μmFlash Memory
A Process V ariation Tolerant Embedded Split-Gate Flash Memory Using Pre-Stable
提出一种预稳定电流传感技术（PSCS），用于减少嵌入式闪存访问时间和传感裕度的波动。
4 Mb, 2 Mb, 1 Mb, 512 Kb, 1.1–3 V
嵌入式闪存工艺波动分栅闪存预稳定电流传感访问时间
▸预稳定电流传感技术（PSCS）：该方法通过电路级创新解决了传统复制单元传感方案中因工艺波动导致的参考电流不稳定问题，显著减少了访问时间的波动和感应裕度的变化，实验证明在1.1-3V宽电压范围内均有效。
▸无需额外掩模或工艺步骤：该技术通过优化现有工艺流程实现性能提升，避免了额外的制造成本和复杂度，特别适合嵌入式闪存的大规模生产应用。
▸工艺变化容忍设计：系统级创新通过预稳定机制实现了跨晶圆、跨批次的工艺变化免疫，实验数据显示在数百个样本中访问时间保持高度一致性，提高了良率。
▸宽电压范围适应性：电路创新支持1.1-3V的宽电压工作范围，相比传统方案在低压条件下仍能保持稳定的感应裕度和访问速度，扩展了应用场景。
Abstract
g Shen
Abstract—Replica-cell sensing schemes are commonly used in
the read circuits of flash memories to provide the appropriate ref-
erence current across various process, voltage and temperature
(PVT) conditions. However , process variation on the replica array
causes fluctuations in the settling time and the value of the ref-
erence current across dies or wafers, especially in split-gate flash
memories. A long settling time of reference current slows down the
access time, and causes ringing on o