← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第5期RF & Wireless0.18μm SiGe BiCMOS
A Millimeter-Wave 4045 GHz 16-Element Phased-Array Transmitter in 018- 22m SiGe
本文展示了一种用于Q波段卫星应用的16元素相控阵发射器，采用0.18μm SiGe BiCMOS技术。
12.5 dB平均功率增益，39.9–45.6 GHz 3-dB增益带宽
毫米波相控阵SiGe卫星通信BiCMOS
▸创新点1：全RF架构的系统创新，采用1:2有源分配器和两个1:8无源T型分配器构建企业馈电网络，实现了39.9–45.6 GHz的3dB增益带宽，显著提高了信号处理的效率和带宽性能。
▸创新点2：4位RF移相器的电路创新，支持16种相位状态，在35–50 GHz范围内实现了RMS相位变化仅为8.8度，提供了高精度的相位控制能力，适用于复杂的毫米波通信场景。
▸创新点3：三维屏蔽传输线的结构创新，通过使用屏蔽传输线技术，有效减少了芯片面积，同时保持了信号完整性，实现了高密度集成和低耦合干扰（相邻通道间耦合≤-30dB）。
▸创新点4：差分信号处理的电路创新，除输入输出接口外，所有信号均在芯片内进行差分处理，显著降低了噪声干扰，提升了系统的整体信噪比和稳定性。
Abstract
Jason W. May , Student Member , IEEE, and Gabriel M. Rebeiz , Fellow, IEEE
Abstract—This paper demonstrates a 16-element phased-array
transmitter in a standard 0.18-
m SiGe BiCMOS technology
for Q-band satellite applications. The transmitter array is based
on the All-RF architecture with 4-bit RF phase shifters and a
corporate-feed network. A 1:2 active divider and two 1:8 passive
tee-junction dividers constitute the corporate-feed network,
and three-dimensional shielded transmission-lines are