← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第6期Other0.13μm
Design of Three-Stage Class-AB 16 10Headphone Driver Capable of Handling Wide Ra
设计了一种能处理宽范围负载电容的三级Class-AB耳机驱动器，采用自动调节阻尼因子的频率补偿方案。
1.2 mW静态功耗，40 mW峰值功率，84.8 dB THD，92 dB SNR
Class-AB耳机驱动器频率补偿负载电容低功耗
▸创新点1：自动调节阻尼因子的频率补偿方案（方法创新）。该方案通过分析负载电容变化对闭环极点位置的影响，提出了一种能够根据负载电容自动调整阻尼因子的频率补偿方法，显著提升了放大器在不同负载条件下的稳定性。
▸创新点2：低静态功耗设计（电路创新）。采用0.13μm工艺设计的三级Class-AB耳机驱动器，在1 pF至22 nF的宽负载电容范围内，静态功耗仅为1.2 mW，实现了高效的功耗管理。
▸创新点3：宽负载电容范围处理能力（系统创新）。该耳机驱动器能够处理1 pF至22 nF的宽负载电容范围，同时提供40 mW的峰值输出功率（1.6 Vpp摆幅），THD低至84.8 dB，峰值SNR达到92 dB，展现了卓越的驱动能力与信号质量。
▸创新点4：紧凑的面积设计（电路创新）。该耳机驱动器仅占用0.1 mm²的面积，在实现高性能的同时，保持了高度集成的紧凑设计，适用于便携式设备。
Abstract
In this paper, the effect of load capacitance variation
on the location of the closed loop poles of three-stage amplifiers
is analyzed and a frequency compensation scheme that automati-
cally adjusts the damping factor according to the load capacitance
is proposed. A class-AB 16
/10headphone driver designed using
the proposed scheme in 0.13
m technology can handle 1 pF to
22 nF capacitive load while consuming as low as 1.2 mW of quies-
cent power. It can deliver a peak power of 40 mW (1.6 Vpp sw