▸创新点1：高速SiGe HBT技术，采用完全自对准（FSA/SEG）架构和选择性SiGeC基极外延，实现了230/280 GHz的高fT/fmax性能，显著提升了毫米波应用的频率响应和噪声性能。
▸创新点2：厚铜后端设计，优化了传输线和电感器的性能，通过增加铜层厚度降低了电阻损耗，提高了高频信号传输的效率和品质因数（Q值）。
▸创新点3：高线性MIM电容器，具有2 fF/μm²的高密度和50的高线性度，适用于高精度模拟电路和射频前端设计，显著改善了信号处理的线性度和稳定性。
▸创新点4：互补双栅氧化层MOS晶体管，提供了灵活的电压控制和低功耗特性，适用于混合信号和射频电路设计，进一步扩展了技术的应用范围。
Abstract
ine Troillard, Nicolas Loubet, Julien Bouvier,
Linda Depoyan, Nicolas Derrier, Michel Buczko, Cédric Leyris, Samuel Boret, Sébastien Montusclat,
Alain Margain, Sébastien Pruvost , Member , IEEE, Sean T. Nicolson , Student Member , IEEE,
Kenneth H. K. Yau, Student Member , IEEE, Nathalie Revil, Daniel Gloria, Didier Dutartre,
Sorin P. V oinigescu, Senior Member , IEEE, and Alain Chantre , Senior Member , IEEE
Abstract—This paper presents a complete 0.13
m SiGe
BiCMOS technology fully dedicated t