▸创新点1：双面接触技术（方法创新）- 通过直接双面接触技术，显著降低了硅器件的电阻/电容寄生效应，提升了器件性能，特别是在高频应用中的表现。
▸创新点2：低损耗玻璃基底上的金属传输线（方法创新）- 利用低损耗玻璃基底上的金属传输线，减少了信号传输中的损耗，提高了射频/微波电路的效率和信号完整性。
▸创新点3：高灵活性器件设计（方法创新）- 双面接触技术消除了对埋层的需求，使得器件设计更加灵活，能够实现特殊的掺杂剖面和互补双极器件的集成。
▸创新点4：AlN散热片集成（方法创新）- 通过集成AlN散热片，有效解决了电路冷却问题，提升了器件的热稳定性和可靠性，特别是在高功率应用中。
Abstract
EEE, Hugo Schellevis, Tom L. M. Scholtes, Luigi La Spina , Student Member , IEEE,
Gianpaolo Lorito, Francesco Sarubbi, Viktor Gonda, Milo ˇs Popadic´, Koen Buisman , Student Member , IEEE,
Leo C. N. de Vreede , Senior Member , IEEE, Cong Huang , Student Member , IEEE, Silvana Milosavljevic´, and
Egbert J. G. Goudena
Abstract—This paper reviews special RF/microwave silicon de-
vice implementations in a process that allows two-sided contacting
of the devices: the back-wafer contacted Silicon-On-Gl