← 返回 JSSC 论文列表JSSC 2009第10期Memory0.18μmSRAM
Resilient Self-V 6868-Tuning Scheme With Speed-Margining for Low-Power SRAM Ya-C
提出一种自适应调整SRAM宏最小电压的低功耗方案，支持温度范围至125°C。
0.18μm CMOS, 150MHz, 40%功耗降低
低功耗SRAM动态电压调节温度稳定性速度裕度自调谐技术
▸创新点1：片上自调谐方案（系统创新） - 提出了一种全集成化的自适应电压调节机制，通过实时监测SRAM工作频率，动态调整供电电压至接近工艺极限的最低值（Vmin），在0.18μm工艺下实现8Kb SRAM宏模块40%的功耗降低。
▸创新点2：速度裕度技术（方法创新） - 开发了可编程速度裕度算法，允许用户预设频率容差（如10%），通过建立动态频率-电压关系模型，在温度波动时自动维持性能缓冲带，确保64Kb SRAM在125℃高温下稳定运行。
▸创新点3：温度鲁棒性设计（电路创新） - 集成温度补偿电路与电压调节环路，采用工艺-温度联合补偿技术，解决了传统SRAM因温度变化导致的访问失败问题，实测显示150MHz工作时电压波动范围缩小至±5%。
▸创新点4：多变量协同控制架构（系统创新） - 构建了包含工艺偏差检测、温度传感器和频率计数器的闭环控制系统，首次实现工艺变异与温度漂移的同步补偿，测试芯片验证了该架构在3σ工艺角下的有效性。
Abstract
tract—Lowering the supply voltage is an effective way to
significantly reduce the power consumption of a Static Random
Access Memory (SRAM). However, the minimum supply voltage
/40/86/109/105/110/102/41required to support a given operating frequency in an
SRAM macro is often elusive from one chip to another due to
process variations. Moreover , temperature could vary when an
SRAM macro is in operation, and thus exacerbating the problem
since temperature variation could affect the
/86/109/105/110/