JSSC 2009第11期RF & Wireless0.13μmDRAM

A 013-22m CMOS 6 Gbspin Memory Transceiver Using Pseudo-Differential Signaling f

提出了一种基于伪差分信号的6 Gb/s/pin DRAM接口收发器，解决了传统单端信号的噪声问题。

0.13μm CMOS, 6 Gb/s/pin, 242.5 mW, 1.0 mm x 0.3 mm

DRAM接口伪差分信号同时开关噪声单端信号过渡检测电路

▸创新点1：采用伪差分信号技术替代传统单端信号传输，通过消除参考信号需求，有效减少由同时开关噪声（SSN）引起的共模噪声，提升信号完整性。该技术在0.13μm CMOS工艺下实现6 Gb/s/pin的传输速率，眼图张开度增加65 ps。

▸创新点2：提出基于相邻数据关系的编码方案，通过动态调整数据传输模式来消除参考信号依赖，优化时序和电压裕度。这一方法在低电源电压和高数据速率场景下显著提升系统稳定性。

▸创新点3：设计过渡检测电路（TCC）用于接收端，将编码数据高效还原为原始数据，解决了伪差分信号解码难题。该电路在242.5 mW功耗下实现1.0 mm×0.3 mm的小面积集成，兼具能效与紧凑性。

▸创新点4：整体系统架构创新，整合伪差分信号、动态编码和TCC技术，形成完整的DRAM接口解决方案。实测结果表明其综合性能优于传统单端信号方案，尤其适用于高密度存储应用场景。

Abstract

Kyung-Soo Ha, Student Member , IEEE, Lee-Sup Kim , Senior Member , IEEE, Seung-Jun Bae, Kwang-Il Park, Joo Sun Choi, Y oung-Hyun Jun, and Kinam Kim , Fellow, IEEE Abstract—A 6 Gb/s/pin transceiver for DRAM interfaces is implemented in a 0.13- m CMOS process. Pseudo-differential signaling to overcome problems of conventional single-ended signaling is proposed. In a conventional single-ended signaling, the reference signal from a transmitter is generally used to re- duce the common-mode noise whi